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三安集成扩展150mm硅基氮化镓晶圆代工业务

www.show2010.net      2019-6-25      字号:T | T

  美国加利福尼亚州森尼韦尔, June 24, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安集成电路有限公司(简称”“三安集成”),一个拥有化合物半导体晶圆铸造先进技术平台代工厂今日宣布,运用于最新高压AC/DC和DC/AC电力电子领域的150mn硅基氮化镓(GaN)代工服务正式面向全球市场。三安集成的新G06P111是650V增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)GaN过程增加了公司的电力电子晶片铸造组合的宽禁带化合物半导体(银行),包括100毫米和150毫米碳化硅(SiC)高压肖特基势垒二极管(作为)。凭借其多年在LED领域氮化镓量产制造经验的母公司三安光电股份有限公司, 三安集成能够补充与内部金属的铸造服务增长能力的高电压、低泄漏硅基氮化镓外延晶片高一致性。

  三安集成总经理助理陈文欣表示,“公司发布650V GaN E-HEMT工艺是对于先进化合物半导体制造业全球市场代工服务的承诺。”我们认为硅基氮化镓是是今天高电压、大功率电力电子行业以碳化硅为主的宽禁带半导体的主要补充技术。器件供应商和系统设计师在传统迁移到宽禁带半导体硅增强性能、效率和可靠性高功率模拟设计。三安集成也将成功服务于这个高速增长、大规模的电力电子市场”。

  公司的G06P11 硅基氮化镓工艺,通过JEDEC的工艺可靠性标准,能够提供650V E-mode FETS的器件结构,并且支持漏源通路状态从50mΩ到400mΩ电阻范围。工程上能够低泄漏、低栅极电荷、高电流密度和低动态特定阻力(Rsp),这能够使超高速开关紧凑设计在高温状态中操作。在今年晚些时候公司将推出200V的氮化镓E-HEMT工艺以及第二代碳化硅肖特基势垒二极管与销肖特基二极管结构相结合的工艺。

  硅基氮化镓工艺是适合最新消费类和服务器应用的工艺,如电源适配器,USB-PD,便携式充电器,和用于交流/直流不间断电源(UPS)功率因数校正(PFC)。这种工艺同时牵动其他市场运用如混合动力/电动汽车(EV/HEV)、激光雷达和无线充电。 根据Yole公司,一家领先技术的市场研究公司出具的报告,氮化镓功率器件未来市场价值预计以93%的符合增长率在2023年可达到4.23亿美元。三安集成致力于服务这一新兴技术在整个电力电子行业的多个细分市场运用。

  资料来源:

  相关案例方案来自于Yole Développement (Yole)2018年11月的报告 《功率氮化镓2019:外延、器件、应用和技术发展趋势》

  关于三安集成

  三安集成电路有限公司(三安集成电路)是中国第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂,服务于全球各地的微电子及光电市场。该公司成立于2014年,位于中国福建省厦门市,是三安光电股份有限公司(SSE代码:600703)下属的子公司。该公司拥有最尖端的III-V族化合物半导体制造设施,开发砷化镓、氮化镓外延片和衬底。三安集成电路凭借自身先进的工艺技术平台,助力全球的射频、毫米波、滤波器、电力电子、光学元器件及子系统业界发展壮大www.sanan-ic.com/en.

  媒体关系联系人

  Raymond Biagan

  ray@sanan-ic.com

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责任编辑: Amy   
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